1、cp测试工作原理：CP测试目的是确保整片（Wafer）中的每一个Die都能基本满足器件的特征或者设计规格书，通常包括电压、电流、时序和功能的验证。
芯片封装阶段时，有些管脚会被封装在芯片内部，导致有些功能无法在封装后进行测试，因此Wafer中进行CP测试最为合适。
2、cp测试的结构区别：由于封装本身可能会影响芯片的品质和特性，因此芯片测试项目都必须在FT阶段测试一遍，而CP阶段是可选的。
CP阶段原则上只测量一些基本的DC，低速数字电路的功能，以及其他容易测试或必须测试的项目。
一切都在FT阶段可以测试，在CP阶段难以测试的项目，能不测就尽量不测。
视频介绍
CP测试。
在半导体制造过程中，CP测试(Chip Probing)是非常关键的一环。
通过CP测试，可以有效地将坏的Die(芯片)挑选出来，从而降低封装和测试的成本。
这个测试环节对于了解Wafer(硅片)的良率更为直接和重要。
在进行CP测试时通常会包含backgrinding(背面研磨)和backmetal(背面金属层。
如果有需要，这是为了确保芯片的电学性能和可靠性。
同时还会对一些基本的器件参数进行测试，如阈值电压(vt)导通电阻(Rdson)、源漏击穿电压(BVdss)、栅源漏电流(lgss)以及漏源漏电流(Idss)等。
值得注意的是一般用于CP测试的测试机台的电压和功率并不会很高，这是因为在CP测试阶段，主要
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